南韓檢方起訴5名三星電子前員工，涉嫌對中國大陸外泄10奈米DRAM(動態隨機存取記憶體)晶片技術，並起訴中國長鑫存儲研發團隊的5名員工。
據韓聯社報導，首爾中央地方檢察廳資訊技術犯罪偵查部通報，以涉嫌違反《防止不正當競爭及商業秘密保護法》《產業技術保護法》對5名三星電子前員工提起逮捕起訴，並以相同罪名對中國長鑫存儲研發團隊的5名員工提起不逮捕起訴。
南韓檢方調查顯示，長鑫存儲成立後，立即聘請三星電子前部長A某擔任研發室長。為獲取三星電子獨有的10奈米級DRAM工藝技術，A某牽頭招募各核心工序技術骨幹。在此過程中，三星電子前研究員B某將DRAM工藝核心技術PRP（製程配方）親筆抄錄後帶離公司，隨後跳槽至長鑫存儲。此舉讓長鑫存儲完整掌握了當時全球唯一的10奈米級DRAM全套工藝技術。
檢方進一步查明，長鑫存儲在吸納多名三星電子前員工後，正式啟動DRAM研發。研發期間，還通過合作商額外獲取了SK海力士的半導體工藝相關技術。在掌握韓企兩大核心半導體技術後，長鑫存儲最終於2023年實現10奈米級DRAM量產，成為中國大陸首家、全球第四家掌握該技術的企業。
檢方指出，此次技術外泄事件導致南韓核心產業技術流失，造成巨額經濟損失。據檢方基於全球市場份額變化的推算，三星電子僅2024年銷售額就減少5兆韓元（約合人民幣237億元）。若疊加該事件對南韓整體經濟的後續負面影響，總損失額至少達數十兆韓元。
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